Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN34N80
MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
Numer części
IXFN34N80
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
270nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7500pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 51076 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN34N80
IXFN34N80 Części elektroniczne
IXFN34N80 Obroty
IXFN34N80 Dostawca
IXFN34N80 Dystrybutor
IXFN34N80 Tabela danych
IXFN34N80 Zdjęcia
IXFN34N80 Cena
IXFN34N80 Oferta
IXFN34N80 Najniższa cena
IXFN34N80 Szukaj
IXFN34N80 Nabywczy
IXFN34N80 Chip