Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN32N60
MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
Numer części
IXFN32N60
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
520AW (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
325nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 44229 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN32N60
IXFN32N60 Części elektroniczne
IXFN32N60 Obroty
IXFN32N60 Dostawca
IXFN32N60 Dystrybutor
IXFN32N60 Tabela danych
IXFN32N60 Zdjęcia
IXFN32N60 Cena
IXFN32N60 Oferta
IXFN32N60 Najniższa cena
IXFN32N60 Szukaj
IXFN32N60 Nabywczy
IXFN32N60 Chip