Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN32N100P

IXFN32N100P

MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
Numer części
IXFN32N100P
Producent/marka
Seria
Polar™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
690W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
225nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
14200pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33441 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFN32N100P
IXFN32N100P Części elektroniczne
IXFN32N100P Obroty
IXFN32N100P Dostawca
IXFN32N100P Dystrybutor
IXFN32N100P Tabela danych
IXFN32N100P Zdjęcia
IXFN32N100P Cena
IXFN32N100P Oferta
IXFN32N100P Najniższa cena
IXFN32N100P Szukaj
IXFN32N100P Nabywczy
IXFN32N100P Chip