Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN30N110P
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Numer części
IXFN30N110P
Producent/marka
Seria
Polar™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
695W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
235nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13600pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40792 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN30N110P
IXFN30N110P Części elektroniczne
IXFN30N110P Obroty
IXFN30N110P Dostawca
IXFN30N110P Dystrybutor
IXFN30N110P Tabela danych
IXFN30N110P Zdjęcia
IXFN30N110P Cena
IXFN30N110P Oferta
IXFN30N110P Najniższa cena
IXFN30N110P Szukaj
IXFN30N110P Nabywczy
IXFN30N110P Chip