Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN300N10P

IXFN300N10P

MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
Numer części
IXFN300N10P
Producent/marka
Seria
Polar™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
1070W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
295A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
279nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
23000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 9512 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFN300N10P
IXFN300N10P Części elektroniczne
IXFN300N10P Obroty
IXFN300N10P Dostawca
IXFN300N10P Dystrybutor
IXFN300N10P Tabela danych
IXFN300N10P Zdjęcia
IXFN300N10P Cena
IXFN300N10P Oferta
IXFN300N10P Najniższa cena
IXFN300N10P Szukaj
IXFN300N10P Nabywczy
IXFN300N10P Chip