Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN25N90
MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
Numer części
IXFN25N90
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
240nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 5121 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN25N90
IXFN25N90 Części elektroniczne
IXFN25N90 Obroty
IXFN25N90 Dostawca
IXFN25N90 Dystrybutor
IXFN25N90 Tabela danych
IXFN25N90 Zdjęcia
IXFN25N90 Cena
IXFN25N90 Oferta
IXFN25N90 Najniższa cena
IXFN25N90 Szukaj
IXFN25N90 Nabywczy
IXFN25N90 Chip