Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN23N100

IXFN23N100

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Numer części
IXFN23N100
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 41341 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFN23N100
IXFN23N100 Części elektroniczne
IXFN23N100 Obroty
IXFN23N100 Dostawca
IXFN23N100 Dystrybutor
IXFN23N100 Tabela danych
IXFN23N100 Zdjęcia
IXFN23N100 Cena
IXFN23N100 Oferta
IXFN23N100 Najniższa cena
IXFN23N100 Szukaj
IXFN23N100 Nabywczy
IXFN23N100 Chip