Kup IXYS IXFN210N20P MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

IXFN210N20P

MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

Numer części

IXFN210N20P

Producent/marka

IXYS

Seria

HiPerFET™

Stan części

Active

Opakowanie

Tube

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ mocowania

Chassis Mount

Opakowanie/etui

SOT-227-4, miniBLOC

Pakiet urządzeń dostawcy

SOT-227B

Rozpraszanie mocy (maks.)

1070W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

200V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

188A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 105A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

255nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

18600pF @ 25V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

10V

Vgs (maks.)

±20V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 22612 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane

IXFN100N10S1