Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN20N120P

IXFN20N120P

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Numer części
IXFN20N120P
Producent/marka
Seria
Polar™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
595W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
193nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
11100pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 37788 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFN20N120P
IXFN20N120P Części elektroniczne
IXFN20N120P Obroty
IXFN20N120P Dostawca
IXFN20N120P Dystrybutor
IXFN20N120P Tabela danych
IXFN20N120P Zdjęcia
IXFN20N120P Cena
IXFN20N120P Oferta
IXFN20N120P Najniższa cena
IXFN20N120P Szukaj
IXFN20N120P Nabywczy
IXFN20N120P Chip