Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN180N20
MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Numer części
IXFN180N20
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
700W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
660nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
22000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 18131 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN180N20
IXFN180N20 Części elektroniczne
IXFN180N20 Obroty
IXFN180N20 Dostawca
IXFN180N20 Dystrybutor
IXFN180N20 Tabela danych
IXFN180N20 Zdjęcia
IXFN180N20 Cena
IXFN180N20 Oferta
IXFN180N20 Najniższa cena
IXFN180N20 Szukaj
IXFN180N20 Nabywczy
IXFN180N20 Chip