Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN170N30P
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Numer części
IXFN170N30P
Producent/marka
Seria
Polar™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
258nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
20000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 32896 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN170N30P
IXFN170N30P Części elektroniczne
IXFN170N30P Obroty
IXFN170N30P Dostawca
IXFN170N30P Dystrybutor
IXFN170N30P Tabela danych
IXFN170N30P Zdjęcia
IXFN170N30P Cena
IXFN170N30P Oferta
IXFN170N30P Najniższa cena
IXFN170N30P Szukaj
IXFN170N30P Nabywczy
IXFN170N30P Chip