Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN170N10
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
Numer części
IXFN170N10
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
515nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10300pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 47268 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN170N10
IXFN170N10 Części elektroniczne
IXFN170N10 Obroty
IXFN170N10 Dostawca
IXFN170N10 Dystrybutor
IXFN170N10 Tabela danych
IXFN170N10 Zdjęcia
IXFN170N10 Cena
IXFN170N10 Oferta
IXFN170N10 Najniższa cena
IXFN170N10 Szukaj
IXFN170N10 Nabywczy
IXFN170N10 Chip