Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN150N10
MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Numer części
IXFN150N10
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Bulk
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
520W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
360nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 45258 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN150N10
IXFN150N10 Części elektroniczne
IXFN150N10 Obroty
IXFN150N10 Dostawca
IXFN150N10 Dystrybutor
IXFN150N10 Tabela danych
IXFN150N10 Zdjęcia
IXFN150N10 Cena
IXFN150N10 Oferta
IXFN150N10 Najniższa cena
IXFN150N10 Szukaj
IXFN150N10 Nabywczy
IXFN150N10 Chip