Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN140N25T

IXFN140N25T

MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
Numer części
IXFN140N25T
Producent/marka
Seria
GigaMOS™ HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
690W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
255nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
19000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 15145 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFN140N25T
IXFN140N25T Części elektroniczne
IXFN140N25T Obroty
IXFN140N25T Dostawca
IXFN140N25T Dystrybutor
IXFN140N25T Tabela danych
IXFN140N25T Zdjęcia
IXFN140N25T Cena
IXFN140N25T Oferta
IXFN140N25T Najniższa cena
IXFN140N25T Szukaj
IXFN140N25T Nabywczy
IXFN140N25T Chip