Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN130N30
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
Numer części
IXFN130N30
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
700W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
380nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
14500pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 6500 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN130N30
IXFN130N30 Części elektroniczne
IXFN130N30 Obroty
IXFN130N30 Dostawca
IXFN130N30 Dystrybutor
IXFN130N30 Tabela danych
IXFN130N30 Zdjęcia
IXFN130N30 Cena
IXFN130N30 Oferta
IXFN130N30 Najniższa cena
IXFN130N30 Szukaj
IXFN130N30 Nabywczy
IXFN130N30 Chip