Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN120N20
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Numer części
IXFN120N20
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
360nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9100pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40900 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN120N20
IXFN120N20 Części elektroniczne
IXFN120N20 Obroty
IXFN120N20 Dostawca
IXFN120N20 Dystrybutor
IXFN120N20 Tabela danych
IXFN120N20 Zdjęcia
IXFN120N20 Cena
IXFN120N20 Oferta
IXFN120N20 Najniższa cena
IXFN120N20 Szukaj
IXFN120N20 Nabywczy
IXFN120N20 Chip