Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFB80N50Q2
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Numer części
IXFB80N50Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-264-3, TO-264AA
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS264™
Rozpraszanie mocy (maks.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
250nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
15000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39564 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFB80N50Q2
IXFB80N50Q2 Części elektroniczne
IXFB80N50Q2 Obroty
IXFB80N50Q2 Dostawca
IXFB80N50Q2 Dystrybutor
IXFB80N50Q2 Tabela danych
IXFB80N50Q2 Zdjęcia
IXFB80N50Q2 Cena
IXFB80N50Q2 Oferta
IXFB80N50Q2 Najniższa cena
IXFB80N50Q2 Szukaj
IXFB80N50Q2 Nabywczy
IXFB80N50Q2 Chip