Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFB100N50Q3
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Numer części
IXFB100N50Q3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-264-3, TO-264AA
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS264™
Rozpraszanie mocy (maks.)
1560W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
255nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 16111 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFB100N50Q3
IXFB100N50Q3 Części elektroniczne
IXFB100N50Q3 Obroty
IXFB100N50Q3 Dostawca
IXFB100N50Q3 Dystrybutor
IXFB100N50Q3 Tabela danych
IXFB100N50Q3 Zdjęcia
IXFB100N50Q3 Cena
IXFB100N50Q3 Oferta
IXFB100N50Q3 Najniższa cena
IXFB100N50Q3 Szukaj
IXFB100N50Q3 Nabywczy
IXFB100N50Q3 Chip