Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFB62N80Q3

IXFB62N80Q3

MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
Numer części
IXFB62N80Q3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-264-3, TO-264AA
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS264™
Rozpraszanie mocy (maks.)
1560W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
270nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13600pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 51896 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFB62N80Q3
IXFB62N80Q3 Części elektroniczne
IXFB62N80Q3 Obroty
IXFB62N80Q3 Dostawca
IXFB62N80Q3 Dystrybutor
IXFB62N80Q3 Tabela danych
IXFB62N80Q3 Zdjęcia
IXFB62N80Q3 Cena
IXFB62N80Q3 Oferta
IXFB62N80Q3 Najniższa cena
IXFB62N80Q3 Szukaj
IXFB62N80Q3 Nabywczy
IXFB62N80Q3 Chip