Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFB50N80Q2
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Numer części
IXFB50N80Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-264-3, TO-264AA
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS264™
Rozpraszanie mocy (maks.)
1135W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
260nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7200pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 27543 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFB50N80Q2
IXFB50N80Q2 Części elektroniczne
IXFB50N80Q2 Obroty
IXFB50N80Q2 Dostawca
IXFB50N80Q2 Dystrybutor
IXFB50N80Q2 Tabela danych
IXFB50N80Q2 Zdjęcia
IXFB50N80Q2 Cena
IXFB50N80Q2 Oferta
IXFB50N80Q2 Najniższa cena
IXFB50N80Q2 Szukaj
IXFB50N80Q2 Nabywczy
IXFB50N80Q2 Chip