Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFB38N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
Numer części
IXFB38N100Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-264-3, TO-264AA
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS264™
Rozpraszanie mocy (maks.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
250nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13500pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 30662 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFB38N100Q2
IXFB38N100Q2 Części elektroniczne
IXFB38N100Q2 Obroty
IXFB38N100Q2 Dostawca
IXFB38N100Q2 Dystrybutor
IXFB38N100Q2 Tabela danych
IXFB38N100Q2 Zdjęcia
IXFB38N100Q2 Cena
IXFB38N100Q2 Oferta
IXFB38N100Q2 Najniższa cena
IXFB38N100Q2 Szukaj
IXFB38N100Q2 Nabywczy
IXFB38N100Q2 Chip