Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
SPD02N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
Numer części
SPD02N60C3BTMA1
Producent/marka
Seria
CoolMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
200pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21063 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SPD02N60C3BTMA1
SPD02N60C3BTMA1 Części elektroniczne
SPD02N60C3BTMA1 Obroty
SPD02N60C3BTMA1 Dostawca
SPD02N60C3BTMA1 Dystrybutor
SPD02N60C3BTMA1 Tabela danych
SPD02N60C3BTMA1 Zdjęcia
SPD02N60C3BTMA1 Cena
SPD02N60C3BTMA1 Oferta
SPD02N60C3BTMA1 Najniższa cena
SPD02N60C3BTMA1 Szukaj
SPD02N60C3BTMA1 Nabywczy
SPD02N60C3BTMA1 Chip