SPB20N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
Numer części
SPB20N60S5ATMA1
Producent/marka
Seria
CoolMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Rozpraszanie mocy (maks.)
208W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
103nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 53742 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SPB20N60S5ATMA1
SPB20N60S5ATMA1 Części elektroniczne
SPB20N60S5ATMA1 Obroty
SPB20N60S5ATMA1 Dostawca
SPB20N60S5ATMA1 Dystrybutor
SPB20N60S5ATMA1 Tabela danych
SPB20N60S5ATMA1 Zdjęcia
SPB20N60S5ATMA1 Cena
SPB20N60S5ATMA1 Oferta
SPB20N60S5ATMA1 Najniższa cena
SPB20N60S5ATMA1 Szukaj
SPB20N60S5ATMA1 Nabywczy
SPB20N60S5ATMA1 Chip