Kup Infineon Technologies SPB100N03S2-03 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

SPB100N03S2-03

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Numer części

SPB100N03S2-03

Producent/marka

Infineon Technologies

Seria

OptiMOS™

Stan części

Obsolete

Opakowanie

Tape & Reel (TR)

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pakiet urządzeń dostawcy

PG-TO263-3-2

Rozpraszanie mocy (maks.)

300W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

30V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

150nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

7020pF @ 25V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

10V

Vgs (maks.)

±20V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 54048 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane