Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRLU014N
MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
Numer części
IRLU014N
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
28W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.9nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
265pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 17569 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRLU014N
IRLU014N Części elektroniczne
IRLU014N Obroty
IRLU014N Dostawca
IRLU014N Dystrybutor
IRLU014N Tabela danych
IRLU014N Zdjęcia
IRLU014N Cena
IRLU014N Oferta
IRLU014N Najniższa cena
IRLU014N Szukaj
IRLU014N Nabywczy
IRLU014N Chip