Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRFB59N10DPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Numer części
IRFB59N10DPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
114nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2450pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 14179 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRFB59N10DPBF
IRFB59N10DPBF Części elektroniczne
IRFB59N10DPBF Obroty
IRFB59N10DPBF Dostawca
IRFB59N10DPBF Dystrybutor
IRFB59N10DPBF Tabela danych
IRFB59N10DPBF Zdjęcia
IRFB59N10DPBF Cena
IRFB59N10DPBF Oferta
IRFB59N10DPBF Najniższa cena
IRFB59N10DPBF Szukaj
IRFB59N10DPBF Nabywczy
IRFB59N10DPBF Chip