Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF7703GTRPBF
MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
Numer części
IRF7703GTRPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSSOP
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
62nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5220pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 28487 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF7703GTRPBF
IRF7703GTRPBF Części elektroniczne
IRF7703GTRPBF Obroty
IRF7703GTRPBF Dostawca
IRF7703GTRPBF Dystrybutor
IRF7703GTRPBF Tabela danych
IRF7703GTRPBF Zdjęcia
IRF7703GTRPBF Cena
IRF7703GTRPBF Oferta
IRF7703GTRPBF Najniższa cena
IRF7703GTRPBF Szukaj
IRF7703GTRPBF Nabywczy
IRF7703GTRPBF Chip