Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF7101PBF
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Numer części
IRF7101PBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Tube
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Moc - maks
2W
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
320pF @ 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 19901 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF7101PBF
IRF7101PBF Części elektroniczne
IRF7101PBF Obroty
IRF7101PBF Dostawca
IRF7101PBF Dystrybutor
IRF7101PBF Tabela danych
IRF7101PBF Zdjęcia
IRF7101PBF Cena
IRF7101PBF Oferta
IRF7101PBF Najniższa cena
IRF7101PBF Szukaj
IRF7101PBF Nabywczy
IRF7101PBF Chip