Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF7702GTRPBF
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Numer części
IRF7702GTRPBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSSOP
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
81nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3470pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33540 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF7702GTRPBF
IRF7702GTRPBF Części elektroniczne
IRF7702GTRPBF Obroty
IRF7702GTRPBF Dostawca
IRF7702GTRPBF Dystrybutor
IRF7702GTRPBF Tabela danych
IRF7702GTRPBF Zdjęcia
IRF7702GTRPBF Cena
IRF7702GTRPBF Oferta
IRF7702GTRPBF Najniższa cena
IRF7702GTRPBF Szukaj
IRF7702GTRPBF Nabywczy
IRF7702GTRPBF Chip