Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF6893MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 29A MX
Numer części
IRF6893MTR1PBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
DirectFET™ Isometric MX
Pakiet urządzeń dostawcy
DIRECTFET™ MX
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
29A (Ta), 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
38nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3480pF @ 13V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 6057 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF6893MTR1PBF
IRF6893MTR1PBF Części elektroniczne
IRF6893MTR1PBF Obroty
IRF6893MTR1PBF Dostawca
IRF6893MTR1PBF Dystrybutor
IRF6893MTR1PBF Tabela danych
IRF6893MTR1PBF Zdjęcia
IRF6893MTR1PBF Cena
IRF6893MTR1PBF Oferta
IRF6893MTR1PBF Najniższa cena
IRF6893MTR1PBF Szukaj
IRF6893MTR1PBF Nabywczy
IRF6893MTR1PBF Chip