Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF60R217

IRF60R217

MOSFET N-CH 60V 58A
Numer części
IRF60R217
Producent/marka
Seria
StrongIRFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
D-Pak
Rozpraszanie mocy (maks.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
66nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2170pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40565 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IRF60R217
IRF60R217 Części elektroniczne
IRF60R217 Obroty
IRF60R217 Dostawca
IRF60R217 Dystrybutor
IRF60R217 Tabela danych
IRF60R217 Zdjęcia
IRF60R217 Cena
IRF60R217 Oferta
IRF60R217 Najniższa cena
IRF60R217 Szukaj
IRF60R217 Nabywczy
IRF60R217 Chip