Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF6892STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 28A S3
Numer części
IRF6892STR1PBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
DirectFET™ Isometric S3C
Pakiet urządzeń dostawcy
DIRECTFET™ S3C
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2510pF @ 13V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 11329 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF6892STR1PBF
IRF6892STR1PBF Części elektroniczne
IRF6892STR1PBF Obroty
IRF6892STR1PBF Dostawca
IRF6892STR1PBF Dystrybutor
IRF6892STR1PBF Tabela danych
IRF6892STR1PBF Zdjęcia
IRF6892STR1PBF Cena
IRF6892STR1PBF Oferta
IRF6892STR1PBF Najniższa cena
IRF6892STR1PBF Szukaj
IRF6892STR1PBF Nabywczy
IRF6892STR1PBF Chip