Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF6728MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Numer części
IRF6728MTR1PBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
DirectFET™ Isometric MX
Pakiet urządzeń dostawcy
DIRECTFET™ MX
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 75W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
42nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4110pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 10007 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF6728MTR1PBF
IRF6728MTR1PBF Części elektroniczne
IRF6728MTR1PBF Obroty
IRF6728MTR1PBF Dostawca
IRF6728MTR1PBF Dystrybutor
IRF6728MTR1PBF Tabela danych
IRF6728MTR1PBF Zdjęcia
IRF6728MTR1PBF Cena
IRF6728MTR1PBF Oferta
IRF6728MTR1PBF Najniższa cena
IRF6728MTR1PBF Szukaj
IRF6728MTR1PBF Nabywczy
IRF6728MTR1PBF Chip