IRF6712STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Numer części
IRF6712STR1PBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
DirectFET™ Isometric SQ
Pakiet urządzeń dostawcy
DIRECTFET™ SQ
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
17A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1570pF @ 13V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 27931 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF6712STR1PBF
IRF6712STR1PBF Części elektroniczne
IRF6712STR1PBF Obroty
IRF6712STR1PBF Dostawca
IRF6712STR1PBF Dystrybutor
IRF6712STR1PBF Tabela danych
IRF6712STR1PBF Zdjęcia
IRF6712STR1PBF Cena
IRF6712STR1PBF Oferta
IRF6712STR1PBF Najniższa cena
IRF6712STR1PBF Szukaj
IRF6712STR1PBF Nabywczy
IRF6712STR1PBF Chip