Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IRF6710S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Numer części
IRF6710S2TR1PBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
DirectFET™ Isometric S1
Pakiet urządzeń dostawcy
DIRECTFET S1
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.8W (Ta), 15W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1190pF @ 13V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 23043 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF6710S2TR1PBF
IRF6710S2TR1PBF Części elektroniczne
IRF6710S2TR1PBF Obroty
IRF6710S2TR1PBF Dostawca
IRF6710S2TR1PBF Dystrybutor
IRF6710S2TR1PBF Tabela danych
IRF6710S2TR1PBF Zdjęcia
IRF6710S2TR1PBF Cena
IRF6710S2TR1PBF Oferta
IRF6710S2TR1PBF Najniższa cena
IRF6710S2TR1PBF Szukaj
IRF6710S2TR1PBF Nabywczy
IRF6710S2TR1PBF Chip