IRF6674TR1PBF
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Numer części
IRF6674TR1PBF
Producent/marka
Seria
HEXFET®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
DirectFET™ Isometric MZ
Pakiet urządzeń dostawcy
DIRECTFET™ MZ
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.6W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 13.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21606 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IRF6674TR1PBF
IRF6674TR1PBF Części elektroniczne
IRF6674TR1PBF Obroty
IRF6674TR1PBF Dostawca
IRF6674TR1PBF Dystrybutor
IRF6674TR1PBF Tabela danych
IRF6674TR1PBF Zdjęcia
IRF6674TR1PBF Cena
IRF6674TR1PBF Oferta
IRF6674TR1PBF Najniższa cena
IRF6674TR1PBF Szukaj
IRF6674TR1PBF Nabywczy
IRF6674TR1PBF Chip