IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Numer części
IPN95R1K2P7ATMA1
Producent/marka
Seria
CoolMOS™ P7
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-223-3
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223
Rozpraszanie mocy (maks.)
7W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
950V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 140µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
478pF @ 400V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 30807 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPN95R1K2P7ATMA1
IPN95R1K2P7ATMA1 Części elektroniczne
IPN95R1K2P7ATMA1 Obroty
IPN95R1K2P7ATMA1 Dostawca
IPN95R1K2P7ATMA1 Dystrybutor
IPN95R1K2P7ATMA1 Tabela danych
IPN95R1K2P7ATMA1 Zdjęcia
IPN95R1K2P7ATMA1 Cena
IPN95R1K2P7ATMA1 Oferta
IPN95R1K2P7ATMA1 Najniższa cena
IPN95R1K2P7ATMA1 Szukaj
IPN95R1K2P7ATMA1 Nabywczy
IPN95R1K2P7ATMA1 Chip