Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Numer części
IPD80R1K4CEBTMA1
Producent/marka
Seria
CoolMOS™
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
63W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
570pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 22116 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPD80R1K4CEBTMA1
IPD80R1K4CEBTMA1 Części elektroniczne
IPD80R1K4CEBTMA1 Obroty
IPD80R1K4CEBTMA1 Dostawca
IPD80R1K4CEBTMA1 Dystrybutor
IPD80R1K4CEBTMA1 Tabela danych
IPD80R1K4CEBTMA1 Zdjęcia
IPD80R1K4CEBTMA1 Cena
IPD80R1K4CEBTMA1 Oferta
IPD80R1K4CEBTMA1 Najniższa cena
IPD80R1K4CEBTMA1 Szukaj
IPD80R1K4CEBTMA1 Nabywczy
IPD80R1K4CEBTMA1 Chip