IPD80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Numer części
IPD80N04S306ATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 52µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
47nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3250pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 31684 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPD80N04S306ATMA1
IPD80N04S306ATMA1 Części elektroniczne
IPD80N04S306ATMA1 Obroty
IPD80N04S306ATMA1 Dostawca
IPD80N04S306ATMA1 Dystrybutor
IPD80N04S306ATMA1 Tabela danych
IPD80N04S306ATMA1 Zdjęcia
IPD80N04S306ATMA1 Cena
IPD80N04S306ATMA1 Oferta
IPD80N04S306ATMA1 Najniższa cena
IPD80N04S306ATMA1 Szukaj
IPD80N04S306ATMA1 Nabywczy
IPD80N04S306ATMA1 Chip