Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Numer części
IPD60R650CEBTMA1
Producent/marka
Seria
CoolMOS™ CE
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
82W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20.5nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
440pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 11908 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPD60R650CEBTMA1
IPD60R650CEBTMA1 Części elektroniczne
IPD60R650CEBTMA1 Obroty
IPD60R650CEBTMA1 Dostawca
IPD60R650CEBTMA1 Dystrybutor
IPD60R650CEBTMA1 Tabela danych
IPD60R650CEBTMA1 Zdjęcia
IPD60R650CEBTMA1 Cena
IPD60R650CEBTMA1 Oferta
IPD60R650CEBTMA1 Najniższa cena
IPD60R650CEBTMA1 Szukaj
IPD60R650CEBTMA1 Nabywczy
IPD60R650CEBTMA1 Chip