IPD600N25N3GBTMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Numer części
IPD600N25N3GBTMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
29nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2350pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 47235 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPD600N25N3GBTMA1
IPD600N25N3GBTMA1 Części elektroniczne
IPD600N25N3GBTMA1 Obroty
IPD600N25N3GBTMA1 Dostawca
IPD600N25N3GBTMA1 Dystrybutor
IPD600N25N3GBTMA1 Tabela danych
IPD600N25N3GBTMA1 Zdjęcia
IPD600N25N3GBTMA1 Cena
IPD600N25N3GBTMA1 Oferta
IPD600N25N3GBTMA1 Najniższa cena
IPD600N25N3GBTMA1 Szukaj
IPD600N25N3GBTMA1 Nabywczy
IPD600N25N3GBTMA1 Chip