Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPD40N03S4L08ATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Numer części
IPD40N03S4L08ATMA1
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3-11
Rozpraszanie mocy (maks.)
42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 13µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1520pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 23455 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPD40N03S4L08ATMA1
IPD40N03S4L08ATMA1 Części elektroniczne
IPD40N03S4L08ATMA1 Obroty
IPD40N03S4L08ATMA1 Dostawca
IPD40N03S4L08ATMA1 Dystrybutor
IPD40N03S4L08ATMA1 Tabela danych
IPD40N03S4L08ATMA1 Zdjęcia
IPD40N03S4L08ATMA1 Cena
IPD40N03S4L08ATMA1 Oferta
IPD40N03S4L08ATMA1 Najniższa cena
IPD40N03S4L08ATMA1 Szukaj
IPD40N03S4L08ATMA1 Nabywczy
IPD40N03S4L08ATMA1 Chip