Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPD068N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Numer części
IPD068N10N3GBTMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
68nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4910pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33878 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPD068N10N3GBTMA1
IPD068N10N3GBTMA1 Części elektroniczne
IPD068N10N3GBTMA1 Obroty
IPD068N10N3GBTMA1 Dostawca
IPD068N10N3GBTMA1 Dystrybutor
IPD068N10N3GBTMA1 Tabela danych
IPD068N10N3GBTMA1 Zdjęcia
IPD068N10N3GBTMA1 Cena
IPD068N10N3GBTMA1 Oferta
IPD068N10N3GBTMA1 Najniższa cena
IPD068N10N3GBTMA1 Szukaj
IPD068N10N3GBTMA1 Nabywczy
IPD068N10N3GBTMA1 Chip