Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPD031N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Numer części
IPD031N03LGATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
51nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5300pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 51629 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPD031N03LGATMA1
IPD031N03LGATMA1 Części elektroniczne
IPD031N03LGATMA1 Obroty
IPD031N03LGATMA1 Dostawca
IPD031N03LGATMA1 Dystrybutor
IPD031N03LGATMA1 Tabela danych
IPD031N03LGATMA1 Zdjęcia
IPD031N03LGATMA1 Cena
IPD031N03LGATMA1 Oferta
IPD031N03LGATMA1 Najniższa cena
IPD031N03LGATMA1 Szukaj
IPD031N03LGATMA1 Nabywczy
IPD031N03LGATMA1 Chip