Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPC100N04S51R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
Numer części
IPC100N04S51R2ATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-PowerTDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 90µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
131nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7650pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
7V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 5230 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPC100N04S51R2ATMA1
IPC100N04S51R2ATMA1 Części elektroniczne
IPC100N04S51R2ATMA1 Obroty
IPC100N04S51R2ATMA1 Dostawca
IPC100N04S51R2ATMA1 Dystrybutor
IPC100N04S51R2ATMA1 Tabela danych
IPC100N04S51R2ATMA1 Zdjęcia
IPC100N04S51R2ATMA1 Cena
IPC100N04S51R2ATMA1 Oferta
IPC100N04S51R2ATMA1 Najniższa cena
IPC100N04S51R2ATMA1 Szukaj
IPC100N04S51R2ATMA1 Nabywczy
IPC100N04S51R2ATMA1 Chip