Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPB77N06S212ATMA1
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
Numer części
IPB77N06S212ATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Rozpraszanie mocy (maks.)
158W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.7 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 93µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
60nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1770pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 28119 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB77N06S212ATMA1
IPB77N06S212ATMA1 Części elektroniczne
IPB77N06S212ATMA1 Obroty
IPB77N06S212ATMA1 Dostawca
IPB77N06S212ATMA1 Dystrybutor
IPB77N06S212ATMA1 Tabela danych
IPB77N06S212ATMA1 Zdjęcia
IPB77N06S212ATMA1 Cena
IPB77N06S212ATMA1 Oferta
IPB77N06S212ATMA1 Najniższa cena
IPB77N06S212ATMA1 Szukaj
IPB77N06S212ATMA1 Nabywczy
IPB77N06S212ATMA1 Chip