IPB70N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2
Numer części
IPB70N04S406ATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Rozpraszanie mocy (maks.)
58W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 26µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
32nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2550pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 32946 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB70N04S406ATMA1
IPB70N04S406ATMA1 Części elektroniczne
IPB70N04S406ATMA1 Obroty
IPB70N04S406ATMA1 Dostawca
IPB70N04S406ATMA1 Dystrybutor
IPB70N04S406ATMA1 Tabela danych
IPB70N04S406ATMA1 Zdjęcia
IPB70N04S406ATMA1 Cena
IPB70N04S406ATMA1 Oferta
IPB70N04S406ATMA1 Najniższa cena
IPB70N04S406ATMA1 Szukaj
IPB70N04S406ATMA1 Nabywczy
IPB70N04S406ATMA1 Chip