Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPB407N30NATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Numer części
IPB407N30NATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D²PAK (TO-263AB)
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40.7 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
87nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7180pF @ 100V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 46118 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB407N30NATMA1
IPB407N30NATMA1 Części elektroniczne
IPB407N30NATMA1 Obroty
IPB407N30NATMA1 Dostawca
IPB407N30NATMA1 Dystrybutor
IPB407N30NATMA1 Tabela danych
IPB407N30NATMA1 Zdjęcia
IPB407N30NATMA1 Cena
IPB407N30NATMA1 Oferta
IPB407N30NATMA1 Najniższa cena
IPB407N30NATMA1 Szukaj
IPB407N30NATMA1 Nabywczy
IPB407N30NATMA1 Chip