Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Numer części
IPB26CN10NGATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D²PAK (TO-263AB)
Rozpraszanie mocy (maks.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
31nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2070pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 54808 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB26CN10NGATMA1
IPB26CN10NGATMA1 Części elektroniczne
IPB26CN10NGATMA1 Obroty
IPB26CN10NGATMA1 Dostawca
IPB26CN10NGATMA1 Dystrybutor
IPB26CN10NGATMA1 Tabela danych
IPB26CN10NGATMA1 Zdjęcia
IPB26CN10NGATMA1 Cena
IPB26CN10NGATMA1 Oferta
IPB26CN10NGATMA1 Najniższa cena
IPB26CN10NGATMA1 Szukaj
IPB26CN10NGATMA1 Nabywczy
IPB26CN10NGATMA1 Chip