Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IPB22N03S4L15ATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
Numer części
IPB22N03S4L15ATMA1
Producent/marka
Seria
OptiMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Rozpraszanie mocy (maks.)
31W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.6 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 10µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
980pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 47196 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IPB22N03S4L15ATMA1
IPB22N03S4L15ATMA1 Części elektroniczne
IPB22N03S4L15ATMA1 Obroty
IPB22N03S4L15ATMA1 Dostawca
IPB22N03S4L15ATMA1 Dystrybutor
IPB22N03S4L15ATMA1 Tabela danych
IPB22N03S4L15ATMA1 Zdjęcia
IPB22N03S4L15ATMA1 Cena
IPB22N03S4L15ATMA1 Oferta
IPB22N03S4L15ATMA1 Najniższa cena
IPB22N03S4L15ATMA1 Szukaj
IPB22N03S4L15ATMA1 Nabywczy
IPB22N03S4L15ATMA1 Chip